ໃນການຜະລິດແບບ semiconductor, ອາຍແກັສເຮັດວຽກທັງຫມົດແລະ lasers ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈທັງຫມົດ. ໃນຂະນະທີ່ lasers ເຮັດຮູບແບບການປ່ຽນແປງຂອງການປ່ຽນຊິມທີ່ມີລັກສະນະເປັນຄັ້ງທໍາອິດທີ່ລົງຊິລິໂຄນແລະທໍາລາຍເລເຊີທີ່ສົມບູນແມ່ນຊຸດອາຍແກັສ. ມັນບໍ່ແປກທີ່ວ່າທາດອາຍຜິດເຫຼົ່ານີ້, ເຊິ່ງຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອພັດທະນາໄມໂຄຣໂຟນໂດຍຜ່ານຂະບວນການຫຼາຍຂັ້ນຕອນ, ແມ່ນມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ. ນອກເຫນືອໄປຈາກຂໍ້ຈໍາກັດນີ້, ພວກເຂົາຫຼາຍຄົນມີຄວາມກັງວົນໃຈແລະຂໍ້ຈໍາກັດອື່ນໆ. ທາດອາຍຜິດບາງສ່ວນແມ່ນ cryogenic, ຄົນອື່ນແມ່ນ corrosive, ແລະຍັງມີສິ່ງອື່ນໆທີ່ເປັນສານພິດສູງ.
ໃນທັງຫມົດ, ຂໍ້ຈໍາກັດເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ລະບົບການແຜ່ກະຈາຍອາຍແກັສສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ມີຄວາມທ້າທາຍຫຼາຍ. ຂໍ້ມູນສະເພາະດ້ານວັດຖຸແມ່ນມີຄວາມຕ້ອງການ. ນອກເຫນືອໄປຈາກສະເພາະດ້ານວັດຖຸ, ອາເລສະເພາະແມ່ນອາຫານການແຈກຢາຍກ gas າຊແມ່ນລະບົບໄຟຟ້າທີ່ສັບສົນຂອງລະບົບທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັນ. ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ພວກເຂົາປະກອບແມ່ນສະລັບສັບຊ້ອນແລະຊໍ້າຊ້ອນ. ການຜະລິດສຸດທ້າຍເກີດຂື້ນຢູ່ໃນສະຖານທີ່ຂອງຂະບວນການຕິດຕັ້ງ. Orbital Welding ຊ່ວຍໃນການຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການແຈກຢາຍອາຍແກັສທີ່ມີຄວາມລະອຽດສູງໃນຂະນະທີ່ເຮັດວຽກໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ໃກ້ຊິດແລະທ້າທາຍ.
ວິທີການໃຊ້ gases ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor
ກ່ອນທີ່ຈະພະຍາຍາມວາງແຜນການຜະລິດລະບົບການແຈກຢາຍກ gas າຊ, ມັນຈໍາເປັນຕ້ອງເຂົ້າໃຈຢ່າງຫນ້ອຍພື້ນຖານຂອງການຜະລິດ semiconductor. ຢູ່ທີ່ຫຼັກຂອງມັນ, semiconductors ໃຊ້ອາຍແກັສເພື່ອຝາກສານທີ່ຢູ່ໃກ້ກັບພື້ນຜິວໃນແບບທີ່ມີການຄວບຄຸມສູງ. ສິ່ງທີ່ຝາກເງິນເຫລົ່ານີ້ຖືກດັດແປງໂດຍການດັດແກ້ອາຍແກັສເພີ່ມເຕີມ, lasers, etchants ສານເຄມີ, ແລະຄວາມຮ້ອນ. ຂັ້ນຕອນໃນຂະບວນການກວ້າງຂວາງແມ່ນ:
ການຝາກເງິນ: ນີ້ແມ່ນຂັ້ນຕອນຂອງການສ້າງ wafer silicon ໃນເບື້ອງຕົ້ນ. ທາດອາຍພິດທີ່ມີສີຊູນຊິລິໂຄນແມ່ນຖືກມັດເຂົ້າໄປໃນຫ້ອງນ້ໍາປະປາແລະປະກອບເປັນນ້ໍາຊິລິໂຄນບາງໆໂດຍຜ່ານການຕິດຕໍ່ທາງເຄມີຫຼືທາງຮ່າງກາຍ.
Photulithography: ສ່ວນຂອງຮູບພາບຫມາຍເຖິງ lasers. ໃນ lithogrum ultraviolet ທີ່ສຸດ (Euci) ທີ່ໃຊ້ໃນການໃຊ້ຊິບສະເພາະທີ່ສູງທີ່ສຸດ, ເລເຊີ carbon dioxide ແມ່ນໃຊ້ເພື່ອ etch circuitry microprocessor ເຂົ້າໄປໃນ wafer.
Etching: ໃນຂະນະທີ່ມີຂະບວນການ etching, ອາຍແກັສ halogen - ອາຍແກັສ halogen ໄດ້ຖືກ pumped ເຂົ້າໄປໃນຫ້ອງເພື່ອກະຕຸ້ນແລະລະລາຍວັດຖຸທີ່ເລືອກໃນ slectrate silicon. ຂະບວນການນີ້ໄດ້ຮັບການຝັງສົບຂອງວົງຈອນທີ່ພິມແລ້ວໃສ່ໃນຊັ້ນໃຕ້ດິນ.
Doping: ນີ້ແມ່ນບາດກ້າວເພີ່ມເຕີມທີ່ປ່ຽນແປງການປະຕິບັດຂອງພື້ນຜິວທີ່ທັນສະໄຫມເພື່ອກໍານົດເງື່ອນໄຂທີ່ແນ່ນອນພາຍໃຕ້ການປະຕິບັດ semiconductor.
annealing: ໃນຂະບວນການນີ້, ລະບົບປະຕິກິລິຍາລະຫວ່າງຜູ້ທີ່ບໍ່ມີປະໂຫຍດແມ່ນເກີດຈາກຄວາມກົດດັນແລະອຸນຫະພູມສູງ. ທີ່ສໍາຄັນ, ມັນສຸດທ້າຍຜົນໄດ້ຮັບຂອງຂະບວນການທີ່ຜ່ານມາແລະສ້າງໂປເຊດເຊີສໍາເລັດຮູບໃນ Wafer.
ການເຮັດຄວາມສະອາດສະພາແລະສາຍ: ທາດອາຍຜິດທີ່ໃຊ້ໃນຂັ້ນຕອນທີ່ຜ່ານມາ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນການລະເຫີຍແລະ dopt, ມັກຈະເປັນພິດແລະມີຄວາມລະມັດລະວັງແລະມີຄວາມລະມັດລະວັງ. ເພາະສະນັ້ນ, ສາຍຂະບວນການແລະສາຍແກັດທີ່ໃຫ້ອາຫານມັນຈໍາເປັນຕ້ອງເຕັມໄປດ້ວຍທາດອາຍຜິດທີ່ເປັນກາງ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເຕັມໄປດ້ວຍທາດອາຍຜິດທີ່ບໍ່ມີປະໂຫຍດເພື່ອປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ອາຍແກັສທີ່ປົນເປື້ອນຈາກສະພາບແວດລ້ອມພາຍນອກ.
ລະບົບການແຈກຢາຍກ gas າຊໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ມັກຈະສັບສົນເພາະມີທາດອາຍທີ່ແຕກຕ່າງກັນຫຼາຍແລະຄວບຄຸມກະແສອາຍແກັສ, ອຸນຫະພູມແລະຄວາມກົດດັນທີ່ຕ້ອງໄດ້ຮັບການຮັກສາໄວ້ໃນໄລຍະເວລາ. ນີ້ແມ່ນສັບສົນຕື່ມອີກໂດຍຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ສຸດສໍາລັບແຕ່ລະແກັດໃນຂະບວນການ. ທາດອາຍຜິດທີ່ໃຊ້ໃນຂັ້ນຕອນກ່ອນຫນ້ານີ້ຕ້ອງໄດ້ຮັບການໄຫລອອກຈາກສາຍແລະຫ້ອງຫລືກາງກ່ອນທີ່ຈະກ້າວຕໍ່ໄປຂອງຂະບວນການສາມາດເລີ່ມຕົ້ນໄດ້. ນີ້ຫມາຍຄວາມວ່າມີຫລາຍສາຍທີ່ມີຄວາມຊ່ຽວຊານຈໍານວນຫຼວງຫຼາຍລະຫວ່າງລະບົບເຕັກນິກແລະແກ landed ແລະ penitions ແລະ Palling ທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອປ້ອງກັນການສະຫນອງທໍ່ນ້ໍາຂອງການສະຫນອງອາຍແກັສທໍາມະຊາດຈາກການຖືກແລກປ່ຽນ.
ນອກຈາກນັ້ນ, Gasterior Outroom ແລະຄວາມຊ່ຽວຊານກໍ່ຈະໄດ້ຮັບການຕິດຕັ້ງລະບົບການສະຫນອງກ gas າຊໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມຊໍານິຊໍານານແລະມີຄວາມສ່ຽງໃນກໍລະນີທີ່ມີການຮົ່ວໄຫຼໂດຍບັງເອີນ. ເຊື່ອມໂລຫະລະບົບອາຍແກັສເຫຼົ່ານີ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສັບສົນດັ່ງກ່າວແມ່ນບໍ່ແມ່ນວຽກງ່າຍເລີຍ. ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ດ້ວຍຄວາມລະມັດລະວັງ, ເອົາໃຈໃສ່ກັບລາຍລະອຽດແລະອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມ, ວຽກງານນີ້ສາມາດສໍາເລັດໄດ້ຜົນສໍາເລັດ.
ການຜະລິດລະບົບການແຜ່ກະຈາຍກ and ອກໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor
ວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ໃນລະບົບການແຜ່ກະຈາຍອາຍແກັສ semiconductor ແມ່ນມີຕົວປ່ຽນແປງສູງ. ພວກມັນສາມາດປະກອບມີສິ່ງຕ່າງໆເຊັ່ນທໍ່ໂລຫະທີ່ເປັນເສັ້ນແລະທໍ່ທີ່ລວດໄວເພື່ອຕ້ານທານກັບທາດອາຍຜິດທີ່ມີການບໍາຫມິກ. ວັດຖຸທີ່ມັກທີ່ສຸດທີ່ໃຊ້ສໍາລັບ Piping ຈຸດປະສົງທົ່ວໄປໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແມ່ນສະແຕນເລດທີ່ມີສະແຕນເລດແມ່ນປະເພດເຫຼັກ. ໃນເວລາທີ່ມັນມາເຖິງ 316l ທຽບກັບ 316, 316l ແມ່ນທົນທານຕໍ່ການກັດພັນຂອງເຂດຫ່າງໄກສອກຫຼີກ. ນີ້ແມ່ນການພິຈາລະນາທີ່ສໍາຄັນໃນເວລາທີ່ຈັດການກັບທາດອາຍຜິດທີ່ມີປະຕິກິລິຍາສູງແລະມີການເຫນັງຕີງທີ່ອາດຈະມີທາດກາກບອນທີ່ມີທ່າແຮງ. ການເຊື່ອມໂລຫະສະແຕນເລດຂະຫນາດ 316L ປ່ອຍກາກບອນທີ່ບໍ່ມີປະໂຫຍດຫນ້ອຍລົງ. ມັນຍັງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສາມາດສໍາລັບການເຊາະເຈື່ອນຂອງເຂດແດນຂອງເມັດພືດ, ເຊິ່ງສາມາດນໍາໄປສູ່ການກັດກ່ອນໃນ Welds ແລະ The Evens ທີ່ຖືກກະທົບຄວາມຮ້ອນ.
ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງທໍ່ນ້ໍາທີ່ນໍາໄປສູ່ການກັດກ່ອນແລະການປົນເປື້ອນຂອງສະແຕນເລດທີ່ບໍລິສຸດແລະໄຟຟ້າກ gas າຊທີ່ບໍລິສຸດແລະມີມາດຕະຖານໃນອຸດສະຫະກໍາ semiconductor. ຂະບວນການເຊື່ອມໂລຫະເທົ່ານັ້ນທີ່ໃຫ້ການຄວບຄຸມທີ່ຈໍາເປັນເພື່ອຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງໃນການປຸງແຕ່ງທໍ່. ການເຊື່ອມໂລຫະ obbital ອັດຕະໂນມັດໃຫ້ພຽງແຕ່ການຄວບຄຸມຂັ້ນຕອນການເຮັດຊ້ໍາທີ່ຈໍາເປັນເພື່ອເຮັດການເຊື່ອມທີ່ລະບົບການຜະລິດຂອງລະບົບການແຈກຈ່າຍກ gas າຊ semiconductor. ຄວາມຈິງທີ່ວ່າຫົວຂໍ້ທີ່ມີການເຊື່ອມໂລຫະທີ່ມີຢູ່ແລະມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກຢູ່ໃນເສັ້ນທາງທີ່ສັບສົນໃນລະຫວ່າງພື້ນທີ່ຂະບວນການແມ່ນປະໂຫຍດທີ່ສໍາຄັນຂອງຂະບວນການ.
ບໍລິສັດອຸປະກອນເສີມ, ວັດສະດຸທີ່ມີປະສິດທິພາບໃນການສະຫນອງວັດສະດຸແລະເຄື່ອງໃຊ້ກ ur ອຟ. ພວກເຮົາບໍ່ພຽງແຕ່ສາມາດສະຫນອງບັນດາຄຸນລັກສະນະແລະເຄື່ອງປະດັບທີ່ຫລາກຫລາຍສໍາລັບທາດອາຍພິດພິເສດເຄິ່ງຫນຶ່ງ, ແຕ່ຍັງອອກແບບທໍ່ແລະອຸປະກອນສໍາລັບລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາ.
ເວລາໄປສະນີ: Jul-31-2023